超低雑音 高線形性アクティブバイアス低雑音アンプ

アバゴ・テクノロジーのMGA-633P8は、低コストで使いやすいGaAs MMICアクティブバイアス付き低雑音アンプ（LNA）です。

このLNAはアバゴ・テクノロジーの独自技術、0.25um GaAsエンハンスメント・モードpHEMTプロセスを採用することにより、低雑音および高線形性を実現しています。

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ライフサイクルのステータス:Active

• 超低雑音指数
• 高線形性
• GaAs E-pHEMT技術
• 低コスト小型パッケージ： 2.0 x 2.0 x 0.75 mm³
• 製品仕様で優れた均一性
• テープ＆リール梱包オプション可能

• GSMおよびCDMA用の携帯電話基地局用低雑音アンプ
• その他の超低雑音アプリケーション

データシート＆技術仕様

• Data Sheet - MGA-633P8, 450-1500MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier (LNA)(183 KB,PDF)
• White Paper - 基地局性能要求に応える高集積LNA(441 KB,PDF)

アプリケーションノート

• Application Note - AN 5457; MGA-633P8 GaAs MMIC LNA Enables 900 MHz BTS Amplifier with Industry Best Noise Figure and Linearity(126 KB,PDF)

製品変更のお知らせ

• Product Changes Notice (PCN) - V12-009-480036-0A - Change in cover tape material (67 KB,PDF)

品質 ＆ 信頼性

• Reliability Data Sheet - MGA-633P8, MGA-634P8 and MGA-635P8, Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier(39 KB,PDF)