アバゴ・テクノロジー、携帯電話基地局用途向けに超低雑音アンプの新製品を発表
「クラス最高」性能の GaAs MMIC アンプ
TOKYO,  February 15, 2010
アバゴ・テクノロジー株式会社 (本社:東京都目黒区、代表取締役社長:米山周) は、本日、携帯電話基地局向けに超低雑音、高利得、高直線性のガリウムヒ素 (GaAs) アクティブ・バイアス・アンプシリーズの新製品を発表しました。GaAs モノリシック・マイクロ波 IC (MMIC) 低雑音アンプ (LNA) の MGA-633P8 は、「クラス最高」の性能と小型フットプリントを特長としています。このアンプは業界標準パッケージを使用しているため、共通プリント回路基板レイアウトを利用でき、携帯電話基地局で使用されるフロントエンド用途に最適です。MGA-633P8 は、携帯電話基地局トランシーバ無線カード、タワー内増幅器、結合器、中継器、リモート/デジタル無線ヘッド向けの初段 LNA として設計されています。
MGA-633P8 は、アバゴ独自の GaAs エンハンスメント・モード pHEMT プロセスの使用により、高利得と超低雑音指数を達成しています。MGA-633P8 は、コンパクトな 2.0mm x 2.0mm x 0.75mm の 8 ピン Quad-Flat-Non-Lead (QFN) パッケージに収納されており、450 ~ 2000MHz 周波数レンジ内で動作する携帯電話基地局が優れた性能レベルを達成できるよう設計されています。その結果、このアクティブ・バイアス LNA を使用して、よりコンパクトでより多くの特性と機能を持つ次世代携帯基地局アプリケーションを開発することが可能になります。低雑音、高利得、高直線性という特長に加え、小型で薄型のフットプリントにより、MGA-633P8 は回線端末装置、GSM、CDMA、WCDMA、CDMA2000、および TD-SCDMA 携帯基地局用途での使用に最適な選択となっています。
特長
- 超低雑音指数:0.37dB
- 高直線性性能
- 利得:18dB
- 入力リターン・ロス:15dB
- 出力 IP3:37dBm
- 1dB 利得圧縮点の出力電力:22dBm
- テープリール梱包オプション可能
- 鉛フリー、RoHS 指令準拠
供給
MGA-633P8 LNA のサンプルおよび量産販売は、アバゴ・テクノロジーの正規販売代理店を通して行われています。
アバゴ・テクノロジー社 (NASDAQ: AVGO)
日本法人:アバゴ・テクノロジー株式会社 (本社:東京都目黒区、代表取締役社長:米山周)
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広報
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